Dynamic random access memory, kortweg DRAM, is een type RAM waarbij iedere bit in een eigen condensator wordt opgeslagen. De opgeslagen lading lekt snel weg en moet daarom periodiek worden ververst. Vanwege dit herladen wordt het dynamische RAM genoemd, in tegenstelling tot SDRAM. Een computer met DRAM voert dus niet alleen het nuttige programma uit, maar moet ook steeds het volledige geheugen verversen, dus lezen en weer herschrijven. Gelukkig zorgt de hardware hiervoor, zodat de programmeur er geen omkijken naar heeft. Bovendien is een geheugenchip in staat een hele rij van de gegevensmatrix ineens te verversen, waarbij de gegevens niet buiten de chip hoeven te komen. Het voordeel ten opzichte van SRAM is, dat er weinig componenten per bit nodig zijn: één transistor en condensator per bit, vergeleken met zes transistors in SRAM. Hierdoor kan met DRAM een hogere integratiedichtheid behaald worden. DRAM en SRAM verliezen de gegevens als de voedingsspanning wegvalt en zijn dus vluchtige geheugens.

Het verschil met DRAM is dat SRAM een synchrone interface heeft. Dit betekent dat het op een kloksignaal wacht, alvorens op zijn controle-input te antwoorden. Het is gesynchroniseerd met de systeembus (FSB) van de computer en dus met de processor. De snelheid van SDRAM wordt hierdoor niet meer weergeven in nanoseconden, maar in MHz en het is daardoor makkelijker om geheugen te kiezen voor je computer. De klok wordt gebruikt om een interne machine van eindige toestand, die inkomende opdrachten doorstuurt via een pijplijn, aan te drijven. Dit staat de chip toe om complexere bewerkingen te verrichten dan het asynchrone DRAM. SDRAM maakt gebruik van een techniek genaamd “dual-bank architecture”: het geheugen wordt opgedeeld in 2 stukken, ook wel geheugenbanken genoemd. Zo kan data, door middel van pijpleidingen, in de tweede bank voorgeladen worden terwijl in de eerste bank data verwerkt wordt. De snelheid waarbij data beschikbaar gesteld wordt gebeurt door de lage CAS latency

Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory (afgekort DDR SDRAM) is een type SDRAM waarmee een grotere bandbreedte wordt bereikt dan het oudere Single Data Rate SDRAM door meer gegevens over te brengen zonder de klokfrequentie van de geheugenbus te verhogen. Geheugens werken aan een bepaalde frequentie, en gebruiken daarbij een kloksignaal. Bij vroegere geheugens, zoals SDRAM, kon het geheugen alleen gegevens verwerken als het kloksignaal van een lage spanning naar een hoge spanning ging (de zogenaamde opgaande flank). DDR-geheugens kunnen per kloktik tweemaal zoveel data transporteren, omdat zowel op de op- als neergaande flank van het kloksignaal een bit vervoerd wordt. Door gebruik van DDR-geheugens kan de snelheid van het hele computersysteem aanzienlijk toenemen. Gegevens die met 64 bits tegelijkertijd worden overgebracht, geeft DDR een overdrachttarief van (de kloksnelheid van de geheugenbus) × 2 (voor Double Data Rate) × 64 (aantal overgebrachte bits) / 8 (aantal bits per byte). Dus met een busfrequentie van 100 MHz, heeft DDR een maximumoverdrachttarief van 1600 MiB/s. JEDEC is een organisatie die de normen voor snelheden van DDR SDRAM heeft bepaald, die in twee delen worden verdeeld: de eerste specificatie is voor het soort geheugenchips en de tweede is voor geheugensnelheid (DDR-200 of PC-1600, DDR-266 of PC-2100, DDR-333 of PC-2700, DDR-400 of PC-3200). Aangezien DDR werd opgevolgd door DDR2 (DDR2-533 of PC2-4200, DDR2-667 of PC2-5300, DDR2-800 of PC2-6400) en later DDR3 (DDR3-1066 of PC3-8500, DDR3-1333 of PC3-10660, DDR3-1600 of PC3-12800), wordt de oudste versie over het algemeen aangeduid als DDR1.